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IPU60R2K0C6AKMA1备选型号: IPS65R1K5CEAKMA1
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 底架
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 质量
- 通道数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 无铅
MOSFET N-CH 600V TO-25112 Weeks通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔SILICON13.5V @ 60μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING2 Ω @ 760mA, 10V140pF @ 100V6.7nC @ 10V±20V2.4A600V2Ohm6A11 mJ符合RoHS标准----------
MOSFET N-CH 650V TO-251-36 Weeks通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak通孔SILICON3.1A Tc3.5V @ 100μA-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2008-yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99--未说明未说明R-PSIP-T3-增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 1A, 10V225pF @ 100V10.5nC @ 10V±20V3.1A650V-8.3A26 mJ符合RoHS标准343.085929mg1SingleDRAIN7.7 ns无卤素5.9ns18.2 ns20V含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPS65R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 650V TO-251-3 | 对比 |
| IPU60R1K5CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3 | 对比 |
| IPU50R1K4CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251 | 对比 |
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