IPU60R950C6BKMA1备选型号: NDD60N900U1-35G

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 4.4A 3-Pin(3 Tab) TO-251
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    4.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2012
    no
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    未说明
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    37W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 1.5A, 10V
    3.5V @ 130μA
    无卤素
    280pF @ 100V
    1.5nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    13 ns
    4.4A
    20V
    600V
    0.95Ohm
    650V
    46 mJ
    6.22mm
    6.73mm
    2.41mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    -
    -
    5.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2013
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    900m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    360pF @ 50V
    12nC @ 10V
    -
    ±25V
    -
    5.7A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    9 Weeks
    600V
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