Infineon Technologies IPU60R950C6BKMA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

37W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2012

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

37W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

950m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 130μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

280pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.5nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

4.4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.95Ohm

漏源击穿电压

650V

雪崩能量等级（Eas）

46 mJ

高度

6.22mm

长度

6.73mm

宽度

2.41mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅