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IPU80R1K4CEAKMA1备选型号: IPS70R1K4CEAKMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 800V TO251-36 Weeks表面贴装通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON3.9A Tc3.9V @ 240μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 2.3A, 10V570pF @ 100V23nC @ 10V800V±20V3.9A12A800V170 mJ符合RoHS标准-----
MOSFET NCH 700V 5.4A TO25118 Weeks表面贴装表面贴装TO-251-3 Stub Leads, IPak-5.4A Tc3.5V @ 100μA-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013e3yes活跃1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)------N-Channel-1.4 Ω @ 1A, 10V225pF @ 100V10.5nC @ 10V-±20V5.4A---ROHS3 Compliant无卤素700V超级交界处not_compliant含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD1NK60-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | 对比 |
| IPS70R1K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET NCH 700V 5.4A TO251 | 对比 |
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