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IPU80R1K4CEAKMA1备选型号: STD1NK60-1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 800V TO251-36 Weeks表面贴装通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON3.9A Tc3.9V @ 240μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 2.3A, 10V570pF @ 100V23nC @ 10V800V±20V3.9A12A800V170 mJ符合RoHS标准------------------
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK12 WeeksSurface Mount, Through Hole通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON1A Tc3.7V @ 250μA-55°C~150°C TJTubeSuperMESH™-e3-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)3EAR99--26030--增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING8.5 Ω @ 500mA, 10V156pF @ 25V10nC @ 10V-±30V1A4A-25 mJROHS3 CompliantTin3STD1NKSingle30W6.5 ns5ns25 ns3V30V1A600V2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STD1NK60-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | 对比 |
 | IPS70R1K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET NCH 700V 5.4A TO251 | 对比 |
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