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IPU80R1K4CEBKMA1备选型号: IPS80R1K4P7AKMA1
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 无铅
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- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
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- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3PG-TO251-3343.085929mg3.9A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013Discontinued1 (Unlimited)150°C-55°C1Single25 nsN-Channel1.4Ohm @ 2.3A, 10V3.9V @ 240μA不含卤素570pF @ 100V23nC @ 10V15ns800V±20V12 ns3.9A30V800V570pF1.4Ohm1.4 ΩROHS3 Compliant含铅--------------------
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak---4A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013活跃1 (Unlimited)-----N-Channel1.4 Ω @ 1.4A, 10V3.5V @ 700μA--10nC @ 10V-800V±20V-4A-----ROHS3 Compliant-18 WeeksSILICONe3yes3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明not_compliant未说明R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING8.9A800V8 mJ超级交界处- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCU5N60TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK | 对比 |
 | STU7N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STU7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
| IPS80R1K4P7AKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL | 对比 |
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