Infineon Technologies IPU80R1K4CEBKMA1
- 收藏
- 对比
IPU80R1K4CEBKMA1
1211-IPU80R1K4CEBKMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
--最小包装量--
IPU80R1K4CEBKMA1详情
Infineon Technologies IPU80R1K4CEBKMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO251-3
质量
343.085929mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
63W Tc
Turn Off Delay Time
72 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2013
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4Ohm @ 2.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 240μA
无卤素
不含卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
570pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 10V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
800V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
3.9A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大双电源电压
800V
输入电容
570pF
漏源电阻
1.4Ohm
最大rds
1.4 Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPU80R1K4CEBKMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies










哦! 它是空的。