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IPU80R1K4CEBKMA1备选型号: STU5N62K3
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3PG-TO251-3343.085929mg3.9A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013Discontinued1 (Unlimited)150°C-55°C1Single25 nsN-Channel1.4Ohm @ 2.3A, 10V3.9V @ 240μA不含卤素570pF @ 100V23nC @ 10V15ns800V±20V12 ns3.9A30V800V570pF1.4Ohm1.4 ΩROHS3 Compliant含铅------------------------
MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3--4.2A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH3™-活跃1 (Unlimited)---Single12 nsN-Channel1.6 Ω @ 2.1A, 10V4.5V @ 50μA-680pF @ 50V26nC @ 10V8ns-±30V21 ns4.2A30V----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 WeeksSILICONe33EAR991.6OhmMatte Tin (Sn) - annealedULTRA LOW-ON RESISTANCE260STU5N3增强型MOSFET70WSWITCHING3.75V620V16.8A120 mJ6.9mm6.6mm2.4mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCU5N60TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK | 对比 |
| STU7N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STU7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
 | IPS80R1K4P7AKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL | 对比 |
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