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IPU80R4K5P7AKMA1备选型号: FCU4300N80Z
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- 表面安装
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 底架
- 质量
- 电阻
- HTS代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK18 Weeks通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANOSILICON1.5A Tc3.5V @ 200μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013e3yes活跃不适用3EAR99Tin (Sn)SINGLER-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 1.4A, 10V250pF @ 500V4nC @ 10V800V±20V1.5A4.5Ohm2.6A800V1 mJ超级交界处not_compliantROHS3 Compliant------------
MOSFET HV SuperJunction MOS17 Weeks通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA--1.6A Tc4.5V @ 160μA-55°C~150°C TJTubeSuperFET® II-e3yesACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)-----N-Channel-4.3 Ω @ 800mA, 10V355pF @ 100V8.8nC @ 10V-±20V1.6A-----not_compliantROHS3 Compliant通孔343.08mg4.3Ohm8541.29.00.95未说明未说明Single10 ns6.5ns16 ns30V800V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FCU4300N80Z | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET HV SuperJunction MOS | 对比 |
 | IPU80R2K8CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 | 对比 |
 | IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel 800 V 2.8 O 12 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK | 对比 |
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