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IPU80R4K5P7AKMA1备选型号: FQD2N80TM
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 触点镀层
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK18 Weeks通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANOSILICON1.5A Tc3.5V @ 200μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013e3yes活跃不适用3EAR99Tin (Sn)SINGLER-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 1.4A, 10V250pF @ 500V4nC @ 10V800V±20V1.5A4.5Ohm2.6A800V1 mJ超级交界处not_compliantROHS3 Compliant------------------------
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N80TM N CHANNEL MOSFET, 800V, 1.8A4 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-SILICON1.8A Tc5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000e3yesACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)2EAR99--R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING6.3 Ω @ 900mA, 10V550pF @ 25V15nC @ 10V-±30V1.8A-7.2A---无SVHCROHS3 CompliantTin表面贴装3260.37mg6.3Ohm800V鸥翼1.8A1Single2.5W12 ns30ns28 ns3V30V800V150°C5 V2.517mm6.6mm6.1mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCU4300N80Z | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET HV SuperJunction MOS | 对比 |
 | IPU80R2K8CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 | 对比 |
 | IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel 800 V 2.8 O 12 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK | 对比 |
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