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首页 全部分类 IPW60R045CPFKSA1 vs IPW65R041CFDFKSA1

IPW60R045CPFKSA1备选型号: IPW65R041CFDFKSA1

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  • 功率耗散
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPW60R045CPFKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    49 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    600V
    SINGLE
    60A
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    431W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 44A, 10V
    3.5V @ 3mA
    6800pF @ 100V
    190nC @ 10V
    20ns
    650V
    ±20V
    10 ns
    60A
    2.5V
    20V
    600V
    0.045Ohm
    600V
    25.549mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R041CFDFKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    26 Weeks
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    68.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    -
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    41m Ω @ 33.1A, 10V
    4.5V @ 3.3mA
    8400pF @ 100V
    300nC @ 10V
    -
    650V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    0.041Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    EAR99
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    68.5A
    255A
    650V
    2185 mJ
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