IPW60R045CPFKSA1备选型号: STW70N60M2

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 配置
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    49 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    600V
    SINGLE
    60A
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    431W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 44A, 10V
    3.5V @ 3mA
    6800pF @ 100V
    190nC @ 10V
    20ns
    650V
    ±20V
    10 ns
    60A
    2.5V
    20V
    600V
    0.045Ohm
    600V
    25.549mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    68A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    450W
    32 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 34A, 10V
    4V @ 250μA
    5200pF @ 100V
    118nC @ 10V
    17ns
    600V
    ±25V
    9 ns
    68A
    3V
    25V
    -
    0.04Ohm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    38.000013g
    EAR99
    STW70N
    Single
    272A
    600V
    9000 mJ
    无SVHC
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