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首页 全部分类 IPW60R099C7XKSA1 vs IPW65R125C7XKSA1

IPW60R099C7XKSA1备选型号: IPW65R125C7XKSA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
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  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPW60R099C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    14A Tc
    4V @ 490μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    99m Ω @ 9.7A, 10V
    无卤素
    1819pF @ 400V
    42nC @ 10V
    ±20V
    14A
    600V
    22A
    0.099Ohm
    83A
    97 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R125C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    1
    4V @ 440μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    125mOhm @ 8.9A, 10V
    无卤素
    1670pF @ 400V
    35nC @ 10V
    ±20V
    18A
    650V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    PG-TO247-3
    150°C
    -55°C
    14 ns
    15ns
    650V
    8 ns
    20V
    1.67nF
    125 mΩ
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