IPW60R330P6FKSA1备选型号: STW18N60DM2
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 阈值电压
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 600V 12A TO247-312 Weeks通孔通孔TO-247-33PG-TO247-312A Tc4.5V @ 370μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P62008Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C12 nsN-Channel330mOhm @ 4.5A, 10V1010pF @ 100V22nC @ 10V7ns600V±20V12A20V600V1.01nF297mOhm330 mΩ符合RoHS标准无铅------
- STMICROELECTRONICS STW18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V17 Weeks通孔通孔TO-247-33-90W Tc5V @ 250μA150°C TJTubeMDmesh™ DM2-活跃1 (Unlimited)---N-Channel295m Ω @ 6A, 10V800pF @ 100V20nC @ 10V-600V±25V12A-----ROHS3 Compliant-EAR99未说明未说明STW18N3V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPW65R310CFDFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247 | 对比 |
![]() | IPW65R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247 | 对比 |
![]() | STW18N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STW18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |





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