注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.756438
10
¥7.317391
100
¥6.903206
500
¥6.512457
1000
¥6.143827
Infineon Technologies IPW65R310CFDFKSA1
- 收藏
- 对比
IPW65R310CFDFKSA1
1211-IPW65R310CFDFKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPW65R310CFDFKSA1详情
Infineon Technologies IPW65R310CFDFKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
104.2W Tc
Turn Off Delay Time
45 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
310m Ω @ 4.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 440μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1100pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41nC @ 10V
上升时间
7.5ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
11.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
雪崩能量等级(Eas)
290 mJ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IPW65R310CFDFKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。