IPW65R310CFDFKSA1
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Infineon Technologies IPW65R310CFDFKSA1

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型号

IPW65R310CFDFKSA1

utmel 编号

1211-IPW65R310CFDFKSA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247

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IPW65R310CFDFKSA1
IPW65R310CFDFKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247

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IPW65R310CFDFKSA1详情

Infineon Technologies IPW65R310CFDFKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    11.4A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    104.2W Tc

  • Turn Off Delay Time

    45 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    CoolMOS™

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    11 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    310m Ω @ 4.4A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 440μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1100pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    41nC @ 10V

  • 上升时间

    7.5ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    7 ns

  • 连续放电电流(ID)

    11.4A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大双电源电压

    650V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    290 mJ

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Infineon Technologies IPW65R310CFDFKSA1.

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & IPW65R310CFDFKSA1相似的参数规格。

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IPW65R310CFDFKSA1拓展信息

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IRFR5505TRPBF
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IRLL014NTRPBF
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IRFR220NTRPBF
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IRFP260NPBF
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IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NTRPBF

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IRLR2905TRPBF
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IRFR9120NTRPBF
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IRLR024NTRPBF
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IRLL2705TRPBF
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