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首页 全部分类 IPW65R110CFDAFKSA1 vs SPW32N50C3FKSA1

IPW65R110CFDAFKSA1备选型号: SPW32N50C3FKSA1

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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IPW65R110CFDAFKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    31.2A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 12.7A, 10V
    4.5V @ 1.3mA
    3240pF @ 100V
    118nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    6 ns
    31.2A
    20V
    650V
    0.11Ohm
    99.6A
    845 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPW32N50C3FKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
    8 Weeks
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    -
    110m Ω @ 20A, 10V
    3.9V @ 1.8mA
    4200pF @ 25V
    170nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    0.11Ohm
    96A
    1100 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    R-PSFM-T3
    不合格
    560V
    TO-247AA
    32A
    500V
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