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首页 全部分类 IPW65R660CFDFKSA1 vs IPW65R310CFDFKSA1

IPW65R660CFDFKSA1备选型号: IPW65R310CFDFKSA1

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPW65R660CFDFKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 700V 6A TO247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    62.5W
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    660m Ω @ 2.1A, 10V
    4.5V @ 200μA
    615pF @ 100V
    22nC @ 10V
    8ns
    700V
    ±20V
    10 ns
    6A
    20V
    650V
    6A
    0.66Ohm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R310CFDFKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    11.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    310m Ω @ 4.4A, 10V
    4.5V @ 440μA
    1100pF @ 100V
    41nC @ 10V
    7.5ns
    -
    ±20V
    7 ns
    11.4A
    20V
    650V
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    290 mJ
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