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IR2102SPBF备选型号: IRS2608DSPBF

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  • 电源电流
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  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高边驱动器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 驱动器数量
  • Infineon Technologies
    IR2102SPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    IR2102SPBF
    2
    620V
    360mA
    15V
    150μA
    625mW
    210mA
    270μA
    220 ns
    Inverting
    160 ns
    100ns
    50 ns
    100ns 50ns
    Independent
    0.36A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    210mA 360mA
    150°C
    YES
    600V
    125°C
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS2608DSPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    -
    -
    -
    625mW
    10V~20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IRS2608DSPBF
    2
    620V
    350mA
    -
    -
    625mW
    200mA
    -
    380 ns
    Inverting, Non-Inverting
    60 ns
    220ns
    80 ns
    150ns 50ns
    Independent
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    -
    -
    600V
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    8-SOIC
    SMD/SMT
    200Ohm
    125°C
    -40°C
    20V
    10V
    2
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