Infineon Technologies IR2102SPBF
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IR2102SPBF
1211-IR2102SPBF
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
--最小包装量--
IR2102SPBF详情
Infineon Technologies IR2102SPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 3V
Turn Off Delay Time
150 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1996
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
625mW
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
IR2102SPBF
输出的数量
2
输出电压
620V
最大输出电流
360mA
电源
15V
电源电流
150μA
功率耗散
625mW
输出电流
210mA
最大电源电流
270μA
传播延迟
220 ns
输入类型
Inverting
接通延迟时间
160 ns
上升时间
100ns
下降时间(典型值)
50 ns
上升/下降时间(Typ)
100ns 50ns
信道型
Independent
输出峰值电流限制-名
0.36A
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
210mA 360mA
最大结点温度(Tj)
150°C
高边驱动器
YES
高压侧电压-最大值(自举)
600V
环境温度范围高
125°C
高度
1.75mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IR2102SPBF拓展信息
Infineon Technologies
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