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IR2112SPBF备选型号: IRS21856SPBF

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 接口IC类型
  • Infineon Technologies
    IR2112SPBF
    Infineon Technologies
    IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
    12 Weeks
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    16
    16-SOIC
    30 ns
    180μA
    1996
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    活跃
    3 (168 Hours)
    SMD/SMT
    125°C
    -40°C
    1.25W
    10V~20V
    IR2112SPBF
    180μA
    2
    20V
    500mA
    15V
    2
    20V
    10V
    1.25W
    250mA
    180 ns
    Non-Inverting
    30 ns
    20V
    130ns
    65 ns
    10V
    80ns 40ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    600V
    7.5946mm
    10.4902mm
    2.35mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS21856SPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
    -
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    14
    -
    Half-Bridge
    120μA
    1996
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    2 (1 Year)
    -
    -
    -
    1W
    10V~20V
    IRS21856SPBF
    -
    -
    -
    500mA
    -
    -
    -
    -
    -
    500mA
    -
    Non-Inverting
    250 ns
    -
    30ns
    20 ns
    -
    30ns 20ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    500mA 500mA
    600V
    3.9878mm
    8.7376mm
    1.4986mm
    符合RoHS标准
    -
    无SVHC
    无铅
    EAR99
    未说明
    未说明
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
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