Infineon Technologies IR2112SPBF
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IR2112SPBF
1211-IR2112SPBF
PMIC - 栅极驱动器
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
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IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
--最小包装量--
IR2112SPBF详情
Infineon Technologies IR2112SPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
16
供应商器件包装
16-SOIC
Turn Off Delay Time
30 ns
Current - Supply (Nom)
180μA
Logic voltage-VIL, VIH
6V 9.5V
Driver Configuration
High-Side or Low-Side
已出版
1996
包装
Tube
操作温度
-40°C~150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
1.25W
电压 - 供电
10V~20V
基本部件号
IR2112SPBF
最大电流源
180μA
输出的数量
2
输出电压
20V
最大输出电流
500mA
工作电源电压
15V
通道数量
2
最大电源电压
20V
最小电源电压
10V
功率耗散
1.25W
输出电流
250mA
传播延迟
180 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
30 ns
最大输出电压
20V
上升时间
130ns
下降时间(典型值)
65 ns
最小输出电压
10V
上升/下降时间(Typ)
80ns 40ns
信道型
Independent
驱动器数量
2
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
250mA 500mA
高压侧电压-最大值(自举)
600V
宽度
7.5946mm
长度
10.4902mm
高度
2.35mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
Contains Lead, Lead Free
IR2112SPBF拓展信息
Infineon Technologies
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