IR2113-1PBF备选型号: IR2110-2PBF

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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm), 13 Leads
    14
    14-PDIP
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    125°C
    -40°C
    1.6W
    3.3V~20V
    IR2113-1PBF
    2
    2A
    20V
    10V
    340μA
    1.6W
    2.5A
    340μA
    150 ns
    Non-Inverting
    20 ns
    600V
    35ns
    25 ns
    25ns 17ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    2A 2A
    600V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16DIP
    通孔
    通孔
    16-DIP (0.300, 7.62mm), 14 Leads
    14
    16-PDIP
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    125°C
    -40°C
    1.6W
    3.3V~20V
    IR2110-2PBF
    2
    2A
    20V
    10V
    340μA
    1.6W
    2A
    340μA
    150 ns
    Non-Inverting
    10 ns
    -
    35ns
    25 ns
    25ns 17ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    2A 2A
    500V
    符合RoHS标准
    无铅
    无SVHC
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