IR2112-1PBF
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Infineon Technologies IR2112-1PBF

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型号

IR2112-1PBF

utmel 编号

1211-IR2112-1PBF

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

14-DIP (0.300, 7.62mm), 13 Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP

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IR2112-1PBF Infineon Technologies IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP

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IR2112-1PBF详情

Infineon Technologies IR2112-1PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    14-DIP (0.300, 7.62mm), 13 Leads

  • 引脚数

    14

  • Driver Configuration

    High-Side or Low-Side

  • Logic voltage-VIL, VIH

    6V 9.5V

  • Turn Off Delay Time

    105 ns

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 已出版

    2005

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    1.6W

  • 电压 - 供电

    10V~20V

  • 基本部件号

    IR2112-1PBF

  • 输出电压

    10V

  • 最大输出电流

    500mA

  • 电源电流

    180μA

  • 功率耗散

    1.6W

  • 输出电流

    200mA

  • 最大电源电流

    180μA

  • 传播延迟

    180 ns

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 接通延迟时间

    125 ns

  • 上升时间

    130ns

  • 下降时间(典型值)

    65 ns

  • 上升/下降时间(Typ)

    80ns 40ns

  • 接口IC类型

    基于半桥的mosfet驱动器

  • 信道型

    Independent

  • 驱动器数量

    2

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    250mA 500mA

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    600V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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