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首页 全部分类 IR21271PBF vs TC4420CPA

IR21271PBF备选型号: TC4420CPA

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  • 输出电流
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  • 最大输出电压
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
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  • 信道型
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 最大电源电流
  • 输入偏置电流
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IR21271PBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    High-Side or Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    125Ohm
    1W
    9V~20V
    DUAL
    未说明
    1
    15V
    2.54mm
    未说明
    IR21271PBF
    1
    不合格
    20V
    500mA
    18V
    120μA
    1W
    200mA
    250 ns
    Non-Inverting
    250 ns
    20V
    130ns
    65 ns
    9V
    80ns 40ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    0.25 μs
    0.5A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    YES
    0.2 μs
    600V
    4.9276mm
    10.8966mm
    7.11mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    TC4420CPA
    Microchip Technology
    MICROCHIP - TC4420CPA - MOSFET DRIVER, LOW-SIDE, DIP-8
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    0.8V 2.4V
    0°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    -
    730mW
    4.5V~18V
    DUAL
    -
    1
    -
    2.54mm
    -
    TC4420
    1
    -
    18V
    6A
    -
    3mA
    730mW
    6A
    75 ns
    Non-Inverting
    25 ns
    -25mV
    60ns
    35 ns
    -
    25ns 25ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    -
    6A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    6A 6A
    YES
    -
    -
    3.3mm
    9.46mm
    6.35mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
    8
    1.5mA
    10μA
    无
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