Infineon Technologies IR21271PBF
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IR21271PBF
1211-IR21271PBF
PMIC - 栅极驱动器
8-DIP (0.300, 7.62mm)
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IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
--最小包装量--
IR21271PBF详情
Infineon Technologies IR21271PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
8-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
8
Driver Configuration
High-Side or Low-Side
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 3V
Turn Off Delay Time
200 ns
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1996
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
125Ohm
最大功率耗散
1W
电压 - 供电
9V~20V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
15V
端子间距
2.54mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
IR21271PBF
输出的数量
1
资历状况
不合格
输出电压
20V
最大输出电流
500mA
工作电源电压
18V
电源电流
120μA
功率耗散
1W
输出电流
200mA
传播延迟
250 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
250 ns
最大输出电压
20V
上升时间
130ns
下降时间(典型值)
65 ns
最小输出电压
9V
上升/下降时间(Typ)
80ns 40ns
接口IC类型
基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
信道型
Single
接通时间
0.25 μs
输出峰值电流限制-名
0.5A
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
250mA 500mA
高边驱动器
YES
关断时间
0.2 μs
高压侧电压-最大值(自举)
600V
高度
4.9276mm
长度
10.8966mm
宽度
7.11mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IR21271PBF拓展信息
Infineon Technologies
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