IR2130JPBF备选型号: IRS2332JTRPBF

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  • 峰值输出电流(源极,漏极)
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  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 环境温度范围高
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 资历状况
  • 电源
  • Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    44-LCC (J-Lead), 32 Leads
    44
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    EAR99
    75Ohm
    Matte Tin (Sn)
    8542.39.00.01
    2W
    10V~20V
    QUAD
    J BEND
    1
    15V
    1.27mm
    IR2130JPBF
    S-PQCC-J32
    20V
    500mA
    15V
    3mA
    2W
    200mA
    675 ns
    Inverting
    80 ns
    80ns
    35 ns
    80ns 35ns
    3-Phase
    6
    0.85 μs
    0.5A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    150°C
    YES
    0.55 μs
    600V
    125°C
    4.57mm
    16.66mm
    16.66mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IC BRIDGE DVR 3PH 600V 44-PLCC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    44-LCC (J-Lead), 32 Leads
    44
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    75Ohm
    -
    8542.39.00.01
    2W
    10V~20V
    QUAD
    J BEND
    -
    15V
    1.27mm
    IRS2332JPBF
    -
    -
    500mA
    -
    -
    2W
    200mA
    700 ns
    Inverting
    50 ns
    125ns
    55 ns
    80ns 35ns
    3-Phase
    6
    -
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    -
    -
    -
    600V
    -
    4.572mm
    16.6624mm
    16.6624mm
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    不合格
    15V
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