IR2130JPBF
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Infineon Technologies IR2130JPBF

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型号

IR2130JPBF

utmel 编号

1211-IR2130JPBF

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC

起订量

--最小包装量--

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IR2130JPBF
IR2130JPBF Infineon Technologies IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC

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IR2130JPBF详情

Infineon Technologies IR2130JPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    44-LCC (J-Lead), 32 Leads

  • 引脚数

    44

  • Driver Configuration

    Half-Bridge

  • Logic voltage-VIL, VIH

    0.8V 2.2V

  • Turn Off Delay Time

    35 ns

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    1996

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    32

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    75Ohm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 最大功率耗散

    2W

  • 电压 - 供电

    10V~20V

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    J BEND

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    15V

  • 端子间距

    1.27mm

  • 基本部件号

    IR2130JPBF

  • JESD-30代码

    S-PQCC-J32

  • 输出电压

    20V

  • 最大输出电流

    500mA

  • 工作电源电压

    15V

  • 电源电流

    3mA

  • 功率耗散

    2W

  • 输出电流

    200mA

  • 传播延迟

    675 ns

  • 输入类型

    Inverting

  • 接通延迟时间

    80 ns

  • 上升时间

    80ns

  • 下降时间(典型值)

    35 ns

  • 上升/下降时间(Typ)

    80ns 35ns

  • 信道型

    3-Phase

  • 驱动器数量

    6

  • 接通时间

    0.85 μs

  • 输出峰值电流限制-名

    0.5A

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    250mA 500mA

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 高边驱动器

    YES

  • 关断时间

    0.55 μs

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    600V

  • 环境温度范围高

    125°C

  • 高度

    4.57mm

  • 长度

    16.66mm

  • 宽度

    16.66mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Contains Lead, Lead Free

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