Infineon Technologies IR2130JPBF
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IR2130JPBF
1211-IR2130JPBF
PMIC - 栅极驱动器
44-LCC (J-Lead), 32 Leads
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
--最小包装量--
IR2130JPBF详情
Infineon Technologies IR2130JPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-LCC (J-Lead), 32 Leads
引脚数
44
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2.2V
Turn Off Delay Time
35 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1996
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
32
ECCN 代码
EAR99
电阻
75Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8542.39.00.01
最大功率耗散
2W
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
功能数量
1
电源电压
15V
端子间距
1.27mm
基本部件号
IR2130JPBF
JESD-30代码
S-PQCC-J32
输出电压
20V
最大输出电流
500mA
工作电源电压
15V
电源电流
3mA
功率耗散
2W
输出电流
200mA
传播延迟
675 ns
输入类型
Inverting
接通延迟时间
80 ns
上升时间
80ns
下降时间(典型值)
35 ns
上升/下降时间(Typ)
80ns 35ns
信道型
3-Phase
驱动器数量
6
接通时间
0.85 μs
输出峰值电流限制-名
0.5A
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
250mA 500mA
最大结点温度(Tj)
150°C
高边驱动器
YES
关断时间
0.55 μs
高压侧电压-最大值(自举)
600V
环境温度范围高
125°C
高度
4.57mm
长度
16.66mm
宽度
16.66mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
IR2130JPBF拓展信息
Infineon Technologies
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