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首页 全部分类 IR2130JPBF vs IRS26310DJTRPBF

IR2130JPBF备选型号: IRS26310DJTRPBF

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  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 传播延迟
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  • 上升/下降时间(Typ)
  • 信道型
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  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 环境温度范围高
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电源
  • 接口IC类型
  • Infineon Technologies
    IR2130JPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    44-LCC (J-Lead), 32 Leads
    44
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    EAR99
    75Ohm
    Matte Tin (Sn)
    8542.39.00.01
    2W
    10V~20V
    QUAD
    J BEND
    1
    15V
    1.27mm
    IR2130JPBF
    S-PQCC-J32
    20V
    500mA
    15V
    3mA
    2W
    200mA
    675 ns
    Inverting
    80 ns
    80ns
    35 ns
    80ns 35ns
    3-Phase
    6
    0.85 μs
    0.5A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    150°C
    YES
    0.55 μs
    600V
    125°C
    4.57mm
    16.66mm
    16.66mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS26310DJTRPBF
    Infineon Technologies
    IC DRIVER MOSFET/IGBT 44-PLCC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    44-LCC (J-Lead), 32 Leads
    44
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    100Ohm
    -
    8542.39.00.01
    2W
    12V~20V
    QUAD
    J BEND
    1
    15V
    1.27mm
    IRS26310DJPBF
    -
    -
    350mA
    -
    -
    2W
    350mA
    750 ns
    Non-Inverting
    -
    190ns
    75 ns
    125ns 50ns
    3-Phase
    6
    0.75 μs
    0.2A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    -
    YES
    0.75 μs
    600V
    -
    4.572mm
    16.6624mm
    16.6624mm
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    15V
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
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