IRF1324LPBF备选型号: FDI045N10A-F102

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 无铅代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 24V 195A TO262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    TO-262
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    300W
    17 ns
    N-Channel
    1.65mOhm @ 195A, 10V
    4V @ 250μA
    7590pF @ 24V
    240nC @ 10V
    190ns
    24V
    ±20V
    120 ns
    340A
    20V
    24V
    7.59nF
    1.65mOhm
    1.65 mΩ
    4 V
    9.65mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    -
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    263W
    23 ns
    N-Channel
    4.5m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 250μA
    5270pF @ 50V
    74nC @ 10V
    26ns
    -
    ±20V
    15 ns
    120A
    20V
    100V
    -
    -
    -
    -
    9.65mm
    10.29mm
    4.83mm
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    9 Weeks
    2.084g
    yes
    Single
    增强型MOSFET
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