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首页 全部分类 IRF1324LPBF vs IRFSL7437PBF

IRF1324LPBF备选型号: IRFSL7437PBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF1324LPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 24V 195A TO262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    TO-262
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    300W
    17 ns
    N-Channel
    1.65mOhm @ 195A, 10V
    4V @ 250μA
    7590pF @ 24V
    240nC @ 10V
    190ns
    24V
    ±20V
    120 ns
    340A
    20V
    24V
    7.59nF
    1.65mOhm
    1.65 mΩ
    4 V
    9.65mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFSL7437PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 40 V 1.8 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    -
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    230W
    19 ns
    N-Channel
    1.8m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 150μA
    7330pF @ 25V
    225nC @ 10V
    70ns
    -
    ±20V
    53 ns
    195A
    20V
    40V
    -
    -
    -
    3 V
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    3
    EAR99
    1.8MOhm
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    3V
    802 mJ
    无铅
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