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IRF1324PBF备选型号: AUIRF1324

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  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • Infineon Technologies
    IRF1324PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5m Ω @ 195A, 10V
    4V @ 250μA
    7590pF @ 24V
    240nC @ 10V
    190ns
    ±20V
    120 ns
    340A
    4V
    TO-220AB
    20V
    24V
    24V
    270 mJ
    4 V
    9.02mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF1324
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5m Ω @ 195A, 10V
    4V @ 250μA
    7590pF @ 24V
    240nC @ 10V
    190ns
    ±20V
    120 ns
    195A
    2V
    TO-220AB
    20V
    24V
    -
    270 mJ
    -
    16.51mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ULTRA-LOW RESISTANCE
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