IRF1324PBF备选型号: NTP125N02RG

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 箱体转运
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5m Ω @ 195A, 10V
    4V @ 250μA
    7590pF @ 24V
    240nC @ 10V
    190ns
    ±20V
    120 ns
    340A
    4V
    TO-220AB
    20V
    24V
    24V
    270 mJ
    4 V
    9.02mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    15.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.72W
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.6m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    3440pF @ 20V
    28nC @ 4.5V
    39ns
    ±20V
    21 ns
    15.9A
    -
    TO-220AB
    20V
    24V
    -
    120 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    24V
    260
    125A
    40
    3
    DRAIN
    95A
    0.0062Ohm
    250A
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