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首页 全部分类 IRF135B203 vs FDB075N15A

IRF135B203备选型号: FDB075N15A

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  • 终端形式
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF135B203
    Infineon Technologies
    MOSFET NCH 135V 129A TO220
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    129A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    N-Channel
    8.4m Ω @ 77A, 10V
    4V @ 250μA
    9700pF @ 50V
    270nC @ 10V
    135V
    ±20V
    129A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB075N15A
    ON Semiconductor
    N CH MOSFET, POWERTRENCH, 150V, 130A, D2PAK - More Details
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    N-Channel
    7.5m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 250μA
    7350pF @ 75V
    100nC @ 10V
    -
    ±20V
    130A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    Tin
    表面贴装
    3
    1.31247g
    SILICON
    e3
    yes
    2
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    333W
    DRAIN
    28 ns
    SWITCHING
    37ns
    21 ns
    20V
    0.0075Ohm
    150V
    522A
    588 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无
    无铅
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