Infineon Technologies IRF135S203
- 收藏
- 对比
IRF135S203
1211-IRF135S203
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET NCH 135V 129A D2PAK
--最小包装量--
IRF135S203详情
Infineon Technologies IRF135S203重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
129A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
441W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2002
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.4m Ω @ 77A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9700pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
270nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
135V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
129A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRF135S203拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies












哦! 它是空的。