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首页 全部分类 IRF135S203 vs IRF135SA204

IRF135S203备选型号: IRF135SA204

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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF135S203
    Infineon Technologies
    MOSFET NCH 135V 129A D2PAK
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    129A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    N-Channel
    8.4m Ω @ 77A, 10V
    4V @ 250μA
    9700pF @ 50V
    270nC @ 10V
    135V
    ±20V
    129A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF135SA204
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 135V 160A
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) Variant
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    N-Channel
    5.9m Ω @ 96A, 10V
    4V @ 250μA
    11690pF @ 50V
    315nC @ 10V
    135V
    ±20V
    160A
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    SILICON
    6
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-263CB
    0.0059Ohm
    608A
    135V
    1280 mJ
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