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IRF3205LPBF备选型号: IRF3205ZLPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 元素配置
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 55V 110A TO-26214 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON110A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2002e3不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE55VSINGLE260110A30SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET200WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 62A, 10V4V @ 250μA3247pF @ 25V146nC @ 10V101ns±20V65 ns110A4V20V75A0.008Ohm55V264 mJ9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET N-CH 55V 75A TO-26212 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2001e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE55V-26075A30-增强型MOSFET170WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING6.5m Ω @ 66A, 10V4V @ 250μA3450pF @ 25V110nC @ 10V95ns±20V67 ns75A4V20V-0.0065Ohm55V250 mJ9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Single440A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ46NLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 53A TO-262 | 对比 |
| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N CH 40V 120A TO-262 | 对比 |
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