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IRF3710PBF备选型号: IRFB4610PBF
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 螺纹距离
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 反向恢复时间
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB12 WeeksTO-220-3通孔通孔3SILICON45 nsHEXFET®2004Tube-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)3通孔EAR9923MOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE100V57A2.54mm1Single增强型MOSFET200WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 28A, 10V4V @ 250μA3130pF @ 25V130nC @ 10V58ns±20V47 ns57A4VTO-220AB20V100V100V280 mJ220 ns175°C4 V4.69mm10.54mm19.8mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅------ MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB12 WeeksTO-220-3通孔通孔3SILICON73A TcHEXFET®2006Tube-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)3-EAR9914mOhm-100V73A2.54mm-Single增强型MOSFET190WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING14m Ω @ 44A, 10V4V @ 100μA3550pF @ 50V140nC @ 10V87ns±20V70 ns73A4VTO-220AB20V100V100V-53 ns-4 V4.69mm10.54mm8.77mmROHS3 Compliant-无SVHC无铅未说明未说明不合格35 ns290A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB | 对比 |
 | FDP3652 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube | 对比 |
| HUF75639P3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 56A TO-220AB | 对比 |
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