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IRF3711STRLPBF备选型号: FDB8896
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK110A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)6MOhm150°C-55°C20V110A120WN-Channel6mOhm @ 15A, 10V3V @ 250μA2980pF @ 10V44nC @ 4.5V220ns20V±20V110A20V20V2.98nF8.5mOhm6 mΩ符合RoHS标准无铅----------------------------
MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-19A Ta 93A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2004活跃1 (Unlimited)5.7MOhm--30V93A80WN-Channel5.7m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA2525pF @ 15V67nC @ 10V102ns-±20V93A20V30V---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 WeeksTin1.31247gSILICONe3yes2EAR99鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFETDRAIN9 nsSWITCHING44 ns2.5V80A74 mJ1mm3mm1.7mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB8896 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | 对比 |
| IRF4104SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 对比 |
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