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IRF3711STRLPBF备选型号: IRF3704SPBF
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- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 接通延迟时间
- 下降时间（典型值）
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK110A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)6MOhm150°C-55°C20V110A120WN-Channel6mOhm @ 15A, 10V3V @ 250μA2980pF @ 10V44nC @ 4.5V220ns20V±20V110A20V20V2.98nF8.5mOhm6 mΩ符合RoHS标准无铅---- MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK77A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)-175°C-55°C20V77A90WN-Channel9mOhm @ 15A, 10V3V @ 250μA1996pF @ 10V19nC @ 4.5V98ns20V±20V77A20V20V1.996nF13.5mOhm9 mΩ符合RoHS标准无铅8.4 ns5 ns无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB8896 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | 对比 |
| IRF4104SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 对比 |
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