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首页 全部分类 IRF3717PBF vs IRF7457TRPBF

IRF3717PBF备选型号: IRF7457TRPBF

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 通道数量
  • 电压
  • 电流
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRF3717PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    20A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    4.4MOhm
    Matte Tin (Sn)
    20V
    DUAL
    鸥翼
    20A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.4m Ω @ 20A, 10V
    2.45V @ 250μA
    2890pF @ 10V
    33nC @ 4.5V
    14ns
    ±20V
    6 ns
    20A
    2V
    20V
    20V
    32 mJ
    32 ns
    2 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7457TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    15A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    7MOhm
    -
    20V
    -
    -
    15A
    Single
    -
    2.5W
    14 ns
    N-Channel
    -
    7m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    3100pF @ 10V
    42nC @ 4.5V
    16ns
    ±20V
    7.5 ns
    15A
    3V
    20V
    20V
    -
    -
    -
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    14 Weeks
    1
    20V
    5A
    150°C
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IRF7457TRPBF IRF7457TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC 对比