Infineon Technologies IRF3717PBF

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.45V @ 250μA

Turn Off Delay Time

15 ns

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Number of Elements

1

已出版

2004

系列

HEXFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.4MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

20A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.4m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2890pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 4.5V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

20V

雪崩能量等级（Eas）

32 mJ

恢复时间

32 ns

栅源电压

2 V

宽度

3.9878mm

长度

4.9784mm

高度

1.4986mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

Contains Lead, Lead Free