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IRF520NSTRLPBF备选型号: NTB13N10G
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- HTS代码
- 引脚数量
- 资历状况
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON9.7A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1995e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY100V鸥翼2609.7A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.8WDRAIN4.5 nsN-ChannelSWITCHING200m Ω @ 5.7A, 10V4V @ 250μA330pF @ 25V25nC @ 10V23ns±20V23 ns9.7A20V0.2Ohm100V4.826mm10.668mm9.65mmUnknown无ROHS3 Compliant含铅------ MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON13A Ta-55°C~175°C TJTube-2005e3Obsolete1 (Unlimited)2-Tin (Sn)-100V鸥翼26013A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET64.7WDRAIN-N-ChannelSWITCHING165m Ω @ 6.5A, 10V4V @ 250μA550pF @ 25V20nC @ 10V40ns±20V36 ns13A20V0.165Ohm100V-----符合RoHS标准无铅8541.29.00.953不合格39A85 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTB13N10G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK | 对比 |
| IRF520NSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | 对比 |
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