ON Semiconductor NTB13N10G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

64.7W Ta

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

100V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

13A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

64.7W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

165m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

36 ns

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.165Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

39A

雪崩能量等级（Eas）

85 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅