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首页 全部分类 IRF530NPBF vs IRL530NPBF

IRF530NPBF备选型号: IRL530NPBF

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 阈值电压
  • Infineon Technologies
    IRF530NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    90MOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    100V
    250
    17A
    30
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    DRAIN
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 9A, 10V
    4V @ 250μA
    920pF @ 25V
    37nC @ 10V
    22ns
    ±20V
    25 ns
    17A
    TO-220AB
    20V
    100V
    60A
    100V
    140 ns
    4 V
    8.77mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL530NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    100mOhm
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY
    100V
    260
    17A
    30
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    79W
    DRAIN
    7.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 9A, 10V
    2V @ 250μA
    800pF @ 25V
    34nC @ 5V
    53ns
    ±16V
    26 ns
    17A
    TO-220AB
    16V
    100V
    60A
    100V
    210 ns
    2 V
    8.77mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    镍外哑光锡
    2V
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IRL530NPBF IRL530NPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB 对比