Infineon Technologies IRL530NPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

79W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

1998

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

100mOhm

端子表面处理

镍外哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

100V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

17A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

螺纹距离

2.54mm

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

79W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 5V

上升时间

53ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

26 ns

连续放电电流(ID)

17A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

双电源电压

100V

恢复时间

210 ns

栅源电压

2 V

高度

8.77mm

长度

10.5156mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free