您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF5800TRPBF vs DMG6602SVT-7

IRF5800TRPBF备选型号: DMG6602SVT-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终端
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRF5800TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    Micro6™(TSOP-6)
    4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    2 (1 Year)
    SMD/SMT
    150°C
    -55°C
    2W
    11.4 ns
    P-Channel
    85mOhm @ 4A, 10V
    1V @ 250μA
    535pF @ 25V
    17nC @ 10V
    30V
    ±20V
    -4A
    -1V
    20V
    -30V
    -30V
    535pF
    85mOhm
    85 mΩ
    -1 V
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG6602SVT-7
    Diodes Incorporated
    N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    -
    3.4A 2.8A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    840mW
    3 ns
    N and P-Channel
    60m Ω @ 3.1A, 10V
    2.3V @ 250μA
    400pF @ 15V
    13nC @ 10V
    -
    -
    2.8A
    -
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    yes
    6
    EAR99
    95mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    840mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    DMG6602
    6
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    5ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3 ns
    3.4A
    13A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    1mm
    2.9mm
    1.6mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
ZXMN3A03E6TA ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 对比
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP 对比
FDC654P FDC654P ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/R 对比