IRF5800TRPBF备选型号: IRLMS1503TRPBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    Micro6™(TSOP-6)
    4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    2 (1 Year)
    SMD/SMT
    150°C
    -55°C
    2W
    11.4 ns
    P-Channel
    85mOhm @ 4A, 10V
    1V @ 250μA
    535pF @ 25V
    17nC @ 10V
    30V
    ±20V
    -4A
    -1V
    20V
    -30V
    -30V
    535pF
    85mOhm
    85 mΩ
    -1 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    -
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    -
    -
    1.7W
    4.6 ns
    N-Channel
    100m Ω @ 2.2A, 10V
    1V @ 250μA
    210pF @ 25V
    9.6nC @ 10V
    -
    ±20V
    3.2A
    1V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    1 V
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    6
    EAR99
    100mOhm
    超低电阻
    30V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    3.2A
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    4.4ns
    2 ns
    36 ns
    1.143mm
    2.9972mm
    1.75mm
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