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IRF5801TRPBF备选型号: NDC7002N
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- 终止次数
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- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 无铅代码
- 最大功率耗散
- 通道数量
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON600mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2002e3活跃1 (Unlimited)6SMD/SMTEAR992.2OhmMatte Tin (Sn)200VDUAL鸥翼600mASingle增强型MOSFET2W6.5 nsN-ChannelSWITCHING2.2 Ω @ 360mA, 10V5.5V @ 250μA88pF @ 25V3.9nC @ 10V8ns±30V19 ns600mA5.5V30V200V4.8A200V9.9 mJ5.5 V990.6μm2.9972mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅---------
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT65 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-1998e3活跃1 (Unlimited)6-EAR992Ohm-50V-鸥翼350mADual增强型MOSFET960mW6 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING2 Ω @ 510mA, 10V2.5V @ 250μA20pF @ 25V1nC @ 10V6ns-6 ns510mA1.9V20V50V-50V-1.9 V900μm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)Tin36mgyes700mW20.51AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NDC7001C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH 60V SSOT6 | 对比 |
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP | 对比 |
 | DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | 对比 |
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