Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ-7
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DMN61D8LVTQ-7
671-DMN61D8LVTQ-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
--最小包装量--
DMN61D8LVTQ-7详情
Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
820mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
功率 - 最大
820mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.8 Ω @ 150mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
12.9pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.74nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
630mA
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN61D8LVTQ-7拓展信息
Diodes Incorporated
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