Infineon Technologies IRF5801TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

600mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

8.8 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.2Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

200V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

600mA

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

6.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2 Ω @ 360mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

88pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.9nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

600mA

阈值电压

5.5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4.8A

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

9.9 mJ

栅源电压

5.5 V

高度

990.6μm

长度

2.9972mm

宽度

1.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅